AMD, IBM и Toshiba вместе объявили о том, что они разработали основные принципы, которые приведут к появлению технологии по производству 22 нм оперативной памяти. Данная тройка разработала статические ячейки памяти, которые имеют размеры всего 0.128 микрометра, путем использования диэлектрика «high-k» и технологии металлического затвора, которые применяются в новейших процессорах для уменьшения электрических утечек и других проблем, предотвращающих замыкания из-за уменьшающихся размеров.
Используя полевые транзисторы, новый формат позволяет получить память, которая по размеру вполовину меньше, чем память, получаемая по нынешней технологии. Уменьшение размера позволит в одинаковом объеме разместить большее количество ячеек, что приведет к увеличению общего объема памяти.
Пока неизвестно, когда начнется применение 22 нм технологии, хотя новая технология приведет к значительному увеличению объемов модулей памяти для компьютеров и других устройств, которые в настоящее время ограничены 4 Гб на один модуль. Кроме этого Toshiba отмечает, что так же была протестирована память, с размером ячейки 0.063 микрометра, и она показала существенно более стабильные результаты, чем память по предыдущей технологии. Это говорит о том, что в дальнейшем плотность памяти еще более повысится.
По информации electronista.com
в России
в Украине
